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规格书 |
NTZS3151P |
文档 |
Multiple Devices 04/April/2008 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Discontinuation 04/April/2008 |
标准包装 | 8,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 860mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 5.6nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 458pF @ 16V |
功率 - 最大 | 170mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | P-Channel |
漏源击穿电压 | - 20 V |
源极击穿电压 | +/- 8 V |
连续漏极电流 | - 950 mA |
抗漏源极RDS ( ON) | 0.195 Ohms |
配置 | Single Quad Drain |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOT-563 |
封装 | Reel |
下降时间 | 12 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 0.17 W |
上升时间 | 12 ns |
工厂包装数量 | 8000 |
典型关闭延迟时间 | 23.7 ns |
寿命 | Obsolete |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 860mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
供应商设备封装 | SOT-563 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 170mW |
标准包装 | 8,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 458pF @ 16V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 5.6nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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